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Run Card for cmos150 |
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step 9.0 |
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Process: Well Drive-in |
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Date |
Operator |
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1. |
TCA clean furnace tube (tystar17). |
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09/06/01 |
vorosl |
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TCA clean overnight: 4 hours (TCACLEAN.017) |
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TCA clean run failed 2 times. After 1100 C the temperature controller stopped. |
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TCA clean was fine. |
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09/11/01 |
vorosl |
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2. |
Standard clean wafers in Sink9 (MEMS then MOS side). Control wafers are involved (NCH, PCH). |
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09/12/01 |
vorosl |
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3. |
Well drive-in at 1120 C in Tystar17: recipe: WELLDR.017 60 min. temperature ramp from 750 C to 1120 C 240 min. dry O2 300 min. N2 |
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09/12/01 |
vorosl |
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Note: WELLDR.017 recipe developed by Sia Parsa. |
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During the oxidation step 105. the temperature dropped down to 1000 C. It happend in the first 20 min., 15 min. later reached the desired 1120 C. |
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4. |
Measure oxide thickness on two control wafers. PCH, NCH Tox [A]= |
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09/13/01 |
vorosl |
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Use nanospec, oxide program, 10x lens |
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5. |
Strip oxide in 5:1 BHF. |
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09/13/01 |
vorosl |
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Measure sheet resistance (Rs) on NCH and PCH. |
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Note: Could not get I=0.453 mA. |
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Rs (NCH)= 451 ohm/sq. Rs(PCH)= 1460 ohm/sq.
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