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Run Card for cmos150 |
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step 6.0 |
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Process: N-well Cover Oxidation |
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Date |
Operator |
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1. |
TCA clean furnace tube (tystar17). |
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23/08/01 |
vorosl |
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TCA clean overnight: 4 hours (TCACLEAN.017) |
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2. |
Remove PR in O2 plasma (matrix) and clean wafers in sink9 (MEMS side). |
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24/08/01 |
vorosl |
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3. |
Standard clean wafers in Sink9 (MOS side). Control wafers are involved (NCH, PCH). 10 min. piranha, rinse, 1 min 25/1 HF dip rinse, spin-dry) |
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24/08/01 |
vorosl |
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3. |
Well cover oxidation at 950 C (WETOX.017) in Tystar17: 10 min. dry O2 175 min. wet O2 10 min. dry O2 20 min. N2 |
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24/08/01 |
vorosl |
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4. |
Oxide thickness on PCH, Tox [A]= |
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27/08/01 |
vorosl |
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Use nanospec, oxide program, 10x lens |
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Note: |
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The whole process takes for ~6 hours. (1 hour ramp up, 1:30 ramp down) |
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