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Run Card for cmos150 |
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Step 32.0 |
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Process: N+ S/D Anneal. |
Date |
Operator |
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1. |
TCE clean furnace tube (tystar17). |
February of 21st , 2002 |
vorosl |
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2. |
Remove PR in O2 plasma (matrix) and piranha clean wafers
in sink9 MEMS and MOS side (no dip). Include PCN, NCH, Tpoly1, Tpoly2. |
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3. |
Anneal in N2 at 900 C for 30 min. (N2ANNEAL.017). |
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4. |
Strip oxide from NCH, Tpoly1, Tpoly2. Measure sheet resistance [ohm/square]: |
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