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Run Card for cmos150 |
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Step 19.0 |
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Process: Sacrificial Oxide: target = 20 (+/- 2) nm |
Date |
Operator |
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1. |
TCE clean furnace tube (tystar17)
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11/27/01 |
vorosl |
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2. |
Standard clean wafers in Sink9 (MEMS and MOS side). Control wafers are involved (NCH, PCH). 10 min. piranha, |
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Dip in 25:1 HF until PCH and NCH dewet. It should take about 2 minutes. |
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Note: NCH should be handled separately since it has a thick oxide! |
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3. |
Dry oxidation at 950 C (DRYOX.017) |
11/28/01 |
vorosl |
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30 min. dry O2 20 min. N2 anneal |
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4. |
Measure Tox on PCH and NCH. Tox [A]= |
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