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Run Card for cmos150 |
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Step 18.0 |
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Process: Nitride Removal, include PCH
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Date |
Operator |
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1.
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Dip in 25:1 HF for 2
min. to remove thin oxide
on top of Si3N4 (sink9) |
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11/27/01
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vorosl
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2.
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Etch nitride off in boiling
phosphoric acid.
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11/27/01
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vorosl
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Temperature= 130 C
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Etch time= 3 hours for wafers with 1000 A nitride
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Etch time= 5.5 hours for wafers with 2000 A nitride
(#8-10,#14,#15)
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Note: Since 6? sink was not available for this process old lab (sink432b) was utilized. |
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3.
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Measure Tox on
active area and PCH.
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11/27/01
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jcpeng
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Nanospec, thin oxide program, 10x [A]
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