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Run Card for cmos150 |
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step 1.0 |
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Process: Initial Oxidation (target= 30 nm + 5%) |
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Date |
Operator |
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1. |
TCA clean furnace tube (tystar17) reserve tystar9. |
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06/08/01 |
vorosl |
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Note: Tystar9 was down until 06/08/01, then Tystar17 has lost power 06/08/01. |
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TCA clean overnight: 4 hours (TCACLEAN.017) |
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08/08/01 |
vorosl |
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2. |
Standard clean wafers in Sink9 (MOS side). Control wafers are involved (NCH, PCH). 10 min. piranha, rinse, 1 min 25/1 HF dip rinse, spin-dry) Note: 5 test wafers also involved |
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09/08/01 |
fatima vorosl |
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3. |
Dry oxidation at 950 C (DryOX.017) in Tystar17: 60 min. dry O2, 20 min. N2 |
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09/08/01 |
vorosl |
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4. |
Oxide thickness on PCH, Tox [A]= |
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09/08/01 |
vorosl |
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Use nanospec, thin oxide program, 10x lens |
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Note: |
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The whole process takes for ~4 hours. (1 hour ramp up, 1:30 ramp down) |
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Surface Charge Analyzer
(08/09/01)
TYSTAR17 TEST WAFER #1 (T#1)
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Top |
Right |
Flat |
Left |
Center
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Nsc_inv
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2.84E+14 |
2.77E+14 |
2.91E+14 |
2.72E+14 |
2.97E+14 |
Qox_inv
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1.60E+11 |
1.49E+11 |
1.47E+11 |
1.39E+11 |
1.57E+11 |
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IQFMGinv |
0.70 |
0.71 |
0.67 |
0.63 |
0.64 |
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Lcal_ftr |
0.93 |
0.93 |
0.93 |
0.93 |
0.93 |
TYSTAR17 PCH WAFER
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Top |
Right |
Flat |
Left |
Center
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Nsc_inv
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4.17E+14 |
4.40E+14 |
4.36E+14 |
4.36E+14 |
4.43E+14 |
Qox_inv
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7.84E+10 |
7.38E+10 |
6.77E+10 |
7.30E+10 |
7.31E+10 |
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DitMGinv |
1.99E+10 |
1.42E+10 |
1.28E+10 |
1.29E+10 |
1.40E+10 |
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Lcal_ftr |
0.93 |
0.93 |
0.93 |
0.93 |
0.93 |
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IQF |
1.28 |
1.19 |
1.18 |
1.17 |
1.20 |