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Run Card for cmos150 |
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Step 37.0 |
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Process: Contact Plasma Etch in Lam2. |
Date |
Operator |
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Note: Had to wait for upgrading Lam2
Etcher to 6” capable.
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April 24th, 2002 |
vorosl |
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1. |
Plasma etch contact holes in Lam2. |
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Recipe: SiO2etch; power: 850W; etch time: 73 sec; overetch: 20 sec. |
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Note: Jimmy’s experience, uniformity problem due to the electrode is worn out. |
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Procedure: #2,#4,#8,#10 wafers decided to finish. Lam2 did not performed uniformly due to the electrode. Different etch rate can be found between the 4" and 6" area! Gap was adjusted to 0.39! The rest of the parameters are
the same. Etch time: 1'13" overetch= 20%
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2. |
Remaining oxide thickness checked on opened area <100
A. Contact holes structure also checked. |
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